Burhanuddin Yeop Majlis <br/><br/>
Penumbuhan lapisan epitaksi transistor elektron berkelincahan tinggi (HEMT) menggunakan teknologi MBE  [article] / 
Burhanuddin Yeop Majlis,Abdul Fatah Awang Mat & Dee Chang Fu 
<br/><br/> PTSL Koleksi Asia Tenggara (jilid 1: Pages 195 - 197)