Normal view MARC view ISBD view

Rekabentuk dan pengoptimuman parameter proses MOSFET planar berteknologi 22 nm menggunakan kaedah Taguchi /

Afifah Maheran Abdul Hamid,

Rekabentuk dan pengoptimuman parameter proses MOSFET planar berteknologi 22 nm menggunakan kaedah Taguchi / Afifah Maheran binti Abdul Hamid. - xxi, 186 pages : illustrations ; 30 cm.

Tesis (Ph.D.)- Universiti Kebangsaan Malaysia, 2015.

Rujukan : mukasurat 158-166.

Subjects--Corporate Names:
Universiti Kebangsaan Malaysia--Dissertations.

Subjects--Topical Terms:
Metal oxide semiconductor field-effect transistors.
Titanium dioxide.
Taguchi methods (Quality control).
Dissertations, Academic--Malaysia.

Place hold
Print
Save record
BIBTEX Dublin Core MARCXML MARC (non-Unicode/MARC-8) MARC (Unicode/UTF-8) MARC (Unicode/UTF-8, Standard) MODS (XML) RIS ISBD
More searches

Search for this title in:
Other Libraries (WorldCat) Other Databases (Google Scholar) Online Stores (Bookfinder.com) Open Library (openlibrary.org)

Rekabentuk dan pengoptimuman parameter proses MOSFET planar berteknologi 22 nm menggunakan kaedah Taguchi /

Contact Us

Copyright ©The National University of Malaysia Library